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        內置800V高壓啟動寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片—PN8016
        內置800V高壓啟動寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片—PN8016
        PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源, 輸出電壓可通過FB 電阻調整。PN8016內置800V高壓啟動與自供電模塊,實現系統快速啟動、待機、自供電功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能,包括過載保護,欠壓保護,過溫保護。另外PN801...
        待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN6370P
        待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN6370P
        PN6370P集成待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6370P為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC )小于30mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術清除音頻噪聲,使...
        待機功耗交直流轉換芯片--PN8147T
        待機功耗交直流轉換芯片--PN8147T
        PN8147T內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了性能優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護(外部可調)、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率模式混合技術和特...
        集成了脈寬調制控制器待機功耗的交直流轉換芯片--PN8145T
        集成了脈寬調制控制器待機功耗的交直流轉換芯片--PN8145T
        PN8145T內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了性能優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護(外部可調)、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率模式混合技術和器...
        690V高雪崩能力待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN6370M
        690V高雪崩能力待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN6370M
        PN6370M六級能效集成待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6370M為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC )小于30mW。
        用于高性能反激系統內置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
        用于高性能反激系統內置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306
        PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8306內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉換效率并降低芯片溫度。
        用于高性能、外圍元器件精簡待機功耗交直流轉換芯片--PN8135H
        用于高性能、外圍元器件精簡待機功耗交直流轉換芯片--PN8135H
        PN8135H內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了性能優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護(外部可調)、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率模式混合技術和特...
        650V高雪崩能力寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片--PN8046
        650V高雪崩能力寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片--PN8046
        PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件精簡的小功率非隔離開關電源。 PN8046內置650V高壓啟動模塊,實現系統快速啟動、待機功能。該芯片提供了智能化保護功能,包括過載保護, 欠壓保護,過溫保護。另外PN8046的降頻調制技術有助于EMI特性。
        用于高性能,高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器--PN8232
        用于高性能,高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器--PN8232
        PN8232是一款高精度的恒壓、恒流原邊控制器。用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8232工作在原邊調整模式,可省略光耦和TL431。該芯片提供了的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS電阻開/短路保護等。極低的芯片啟動電流能夠滿足的待機功耗標準...
        具有軟啟動功能待機功耗交直流轉換芯片--PN8135
        具有軟啟動功能待機功耗交直流轉換芯片--PN8135
        PN8135內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了性能優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護(外部可調)、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率模式混合技術和特殊...
        內置電壓降極低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
        內置電壓降極低的功率MOSFET的高性能同步整流器--PN8306M
        PN8306M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8306M內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉換效率并降低芯片溫度。
        集成高壓啟動的同步整流控制器--PN8300
        集成高壓啟動的同步整流控制器--PN8300
        PN8300是一款內置高壓啟動同步整流控制器,通過外驅N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特 基二極管,以提升系統的轉換效率。 PN8300處于開關工作模式,只適用于DCM和QR工作模式的開關電源系統。當芯片檢測到VDET<-400mV,控制器驅動外 部的功率MOSFET開啟;當芯...
        六級能效待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370M
        六級能效待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370M
        PN8370M集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC ) 小于30mW。
        內部集成了脈寬調制控制器交直流轉換芯片--PN8147
        內部集成了脈寬調制控制器交直流轉換芯片--PN8147
        PN8147內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源.
        脈寬調制控制器待機功耗交直流轉換芯片--PN8145
        脈寬調制控制器待機功耗交直流轉換芯片--PN8145
        PN8145內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。
        非隔離待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8368
        非隔離待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8368
        PN8368 集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC ) 小于30mW。
        高雪崩能力寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片-PN8034M
        高雪崩能力寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片-PN8034M
        PN8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源, PN8034M 內置650V高壓啟動模塊,實現系統快速啟動、待機功能。該芯片提供的智能化保護功能,包括過流保護,欠壓保護,過溫保護。另外PN8034M的降頻調制技術有助于EMI特性。
        內置650V高壓啟動模塊寬輸出范圍非隔離轉換芯片-PN8044M
        內置650V高壓啟動模塊寬輸出范圍非隔離轉換芯片-PN8044M
        PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件的小功率非隔離開關電源, PN8044M 內置650V高壓啟動模塊,實現系統快速啟動、待機功能。該芯片提供的智能化保護功能,包括過載保護,欠壓保護,過溫保護。另外PN8044M的降頻調制技術有助于EMI特性。
        國內電源芯片12W貼片內置MOS待機功耗5V2.4A-PN8305M
        國內電源芯片12W貼片內置MOS待機功耗5V2.4A-PN8305M
        PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8305內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉換效率并降低芯片溫度.PN8305處于開關工作模式,只適用于DCM和QR工作模式的開關電源系統。
        原邊反饋機頂盒開關電源適配器電源芯片-PN8386
        原邊反饋機頂盒開關電源適配器電源芯片-PN8386
        PN8386集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。
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