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        690V高雪崩能力待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN6370M
        690V高雪崩能力待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN6370M
        PN6370M六級能效集成待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6370M為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC )小于30mW。
        用于高性能,高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器--PN8232
        用于高性能,高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器--PN8232
        PN8232是一款高精度的恒壓、恒流原邊控制器。用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8232工作在原邊調整模式,可省略光耦和TL431。該芯片提供了的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS電阻開/短路保護等。極低的芯片啟動電流能夠滿足的待機功耗標準...
        六級能效待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370M
        六級能效待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370M
        PN8370M集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC ) 小于30mW。
        非隔離待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8368
        非隔離待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8368
        PN8368 集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC ) 小于30mW。
        原邊反饋機頂盒開關電源適配器電源芯片-PN8386
        原邊反饋機頂盒開關電源適配器電源芯片-PN8386
        PN8386集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。
        原邊反饋6級能效充電器驅動芯片-PN8235
        原邊反饋6級能效充電器驅動芯片-PN8235
        PN8235集成待機功耗準諧振原邊控制器及750V智能高壓啟動模塊,外驅功率DMOS,外表Rg可調。PN8235用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8235為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。
        待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370
        待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370
        PN8370 5V2.4A/5V2A集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC ) 小于30mW。
        高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器-PN8356
        高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器-PN8356
        PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。 PN8356工作在原邊檢測模式,可省略光耦和TL431。
        高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器-PN8358
        高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器-PN8358
        PN8358包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8358工作在原邊檢測模式,可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS電阻開/短路保護等。內置啟動電路和極低的芯片工...
        12W原邊反饋電源管理芯片-PN8360
        12W原邊反饋電源管理芯片-PN8360
        PN8360包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。 PN8360工作在原邊檢測模式,可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
        高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器--PN8359
        高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器--PN8359
        PN8359 5V2.4A/12V1A包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8359工作在原邊檢測和調整模式,可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護...
        外圍元器件精簡,高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器--PN8355
        外圍元器件精簡,高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器--PN8355
        PN8355 5V1A包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8355工作在原邊檢測和調整模式,可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。內置高壓啟...
        低待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN6710H
        低待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN6710H
        PN6710H集成低待機功耗準諧振原邊控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6710H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于75mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術音頻噪聲,使得系...
        支持CCM模式準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8390
        支持CCM模式準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8390
        PN8390集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置 電源。PN8390為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM兩種工作模式。內置高壓啟動電路,可實現系統空載待機損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式...
        集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容交直流轉換器--PN8611
        集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容交直流轉換器--PN8611
        PN8611集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于性能高、外圍元器件較簡的充電器、適配器和內置電源。PN8611為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式...
        內置BJT六級能效交直流轉換器--PN8571
        內置BJT六級能效交直流轉換器--PN8571
        PN8571集成低待機功耗準諧振原邊控制器及BJT,用于低成本、外圍元器件的充電器、適配器和內置電源。PN8571為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過C...
        反激效率高交直流轉換芯片--PN8024A
        反激效率高交直流轉換芯片--PN8024A
        PN8024A芯片內部集成了脈寬調制控制器和高雪崩能力的功率MOSFET,適用于小功率反激原邊反饋開關電源。該芯片提供了智能化保護功能,包括過流保護,過壓保護,過載保護,欠壓保護,過溫保護;降頻調制技術有助于EMI特性。該芯片還內置啟動模塊,保證系統能迅速啟動。應用系統的外圍元件更加簡潔。
        外圍元器件較簡,準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8370F
        外圍元器件較簡,準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8370F
        PN8370F集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于性能高、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8370F為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術音頻噪聲,使得系統...
        適用于小家電,高性能外圍元器件精簡的充電器電源芯片--PN6770H
        適用于小家電,高性能外圍元器件精簡的充電器電源芯片--PN6770H
        PN6770H集成待機功耗原邊控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6770H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術音頻噪聲,使得系統滿足 6級...
        采用多模式技術,隔離式原邊反饋轉換器--PN6780H
        采用多模式技術,隔離式原邊反饋轉換器--PN6780H
        PN6780H集成待機功耗原邊控制器及750V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6780H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術音頻噪聲,使得系統滿足6級能...
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