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        中銘功率器件
        7A,600V DP MOS功率管--SVS7N60D/F
        7A,600V DP MOS功率管--SVS7N60D/F
        SVS7N60D/F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        6A,700V DP MOS功率管--SVS6N70M/MJ/D
        6A,700V DP MOS功率管--SVS6N70M/MJ/D
        SVS6N70M/MJ/D N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        6A,650V DP MOS功率管--SVS6N65F
        6A,650V DP MOS功率管--SVS6N65F
        SVS6N65F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        6A,600V DP MOS功率管--SVS6N60F/D/T/M/MJ
        6A,600V DP MOS功率管--SVS6N60F/D/T/M/MJ
        SVS6N60F/D/T/M/MJ N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        4A,650V DP MOS功率管--SVS4N65F/D/MJ
        4A,650V DP MOS功率管--SVS4N65F/D/MJ
        SVS4N65F/D/MJ N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        4A,600V DP MOS功率管--SVS4N60F/D/MJ
        4A,600V DP MOS功率管--SVS4N60F/D/MJ
        SVS4N60F/D/MJ N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        47A,600V DP MOS功率管--SVS47N60PN
        47A,600V DP MOS功率管--SVS47N60PN
        SVS47N60PN N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        11A,650V DP MOS功率管--SVS11N65T/F
        11A,650V DP MOS功率管--SVS11N65T/F
        SVS11N65T/F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        11A,600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
        11A,600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
        SVS11N60T/F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器高功率密度,提高熱行為。
        SJT13005NT/D/F/M/N NPN型硅三極管
        SJT13005NT/D/F/M/N NPN型硅三極管
        SJT13005NT/D/F/M NPN型硅三極管采用士蘭微電子平面三極管工藝技術制造。 該系列亚投彩神主要應用在應用整流器等。
        SJT13005N1MJ/NF/D NPN型硅三極管
        SJT13005N1MJ/NF/D NPN型硅三極管
        SJT13005N1MJ/NF/D NPN型硅三極管采用士蘭微電子平面三極管工藝技術制造。 該系列亚投彩神主要應用在電子整流器、節能燈、高頻開關電源、高頻功率轉換、功率放大電路。 SJT13005N1MJ/NF/D NPN三極管目前可提供TO-251J-3L,TO-126-3L,TO-252-2L封裝外形。
        SJT13003NDB/N NPN型硅三極管
        SJT13003NDB/N NPN型硅三極管
        SJT3003NDB/N NPN 型硅三極管采用士蘭微電子平面三極管工藝技術制造。 該系列亚投彩神主要應用在電子整流器等。 SJT13003NDB/N 三極管目前可提供TO-92-3L和TO-126-3L 封裝外形。
        SOP封裝適用于4~8W輸出功率的原邊控制開關電源--SD6953
        SOP封裝適用于4~8W輸出功率的原邊控制開關電源--SD6953
        SD6953是驅動高壓三極管的原邊控制模式的開關電源控制器(PSR),內置線損補償和峰值電流補償功能,采用PFM調制技術,提供精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制環路,具有非常高的穩定性和平均效率。
        用于蘋果充電器肖特基整流管--SBD10L45T3
        用于蘋果充電器肖特基整流管--SBD10L45T3
        SBD10L45T3硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,采用TO-277封裝,廣泛應用于開關電源、保護電路等各類電子線路中。
        MOS管 NCE8580
        MOS管 NCE8580
        The NCE8580 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load swit...
        MOS管 NCE7578
        MOS管 NCE7578
        The NCE7578 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load swit...
        MOS管 NCE6890
        MOS管 NCE6890
        The NCE6890 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
        MOS管 NCE4060k
        MOS管 NCE4060k
        The NCE4060K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications...
        MOS管 NCE0117
        MOS管 NCE0117
        The NCE0117 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
        MOS管 NCE60P50
        MOS管 NCE60P50
        The NCE60P50 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is well suited for high current load...
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