1. <mark id="ab76h"></mark>

      1. 登錄|注冊收藏本站在線留言聯系中銘網站地圖 English

        您好,歡迎訪問中銘電子官方網站!

        中銘電子 中銘電子

        咨詢電話:

        400-788-7770
        18923224605

        熱門關鍵詞: 氣壓傳感器 壓力傳感器品牌 led恒流驅動芯片 IGBT MOS管 led驅動 智能IGBT 華南華東IGBT IGBTIGBT 深圳IGBT

        中銘功率器件
        10A肖特基勢壘二極管--S1062AE
        10A肖特基勢壘二極管--S1062AE
        45V 15A肖特基二極管芯片
        45V 15A肖特基二極管芯片
        GDM229045MA是采用硅外延工藝制造的肖特基二極管芯片,損耗功率小,效率高,高ESD能力,高抗浪涌電流能力,具有瞬態反應保護能力的保護環結構,廣泛應用于太陽能電池保護電路等各類電子線路中。
        20A、100V肖特基整流管--SBD20C100T/F
        20A、100V肖特基整流管--SBD20C100T/F
        SBD20C100T/F是采用硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,廣泛應用于開關電源、保護電路等各類電子線路中。
        10A、650V N溝道增強型場效應管--SVF10N65T/F/K/S
        10A、650V N溝道增強型場效應管--SVF10N65T/F/K/S
        SVF10N65T/F/K/S N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。
        7A、650V N溝道增強型場效應管--SVF7N65T/F/K/S
        7A、650V N溝道增強型場效應管--SVF7N65T/F/K/S
        SVF4N65T/F/K/S N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。
        5A、600V N溝道增強型場效應管--SVF5N60T/F/D/MJ/K
        5A、600V N溝道增強型場效應管--SVF5N60T/F/D/MJ/K
        SVF5N60T/F/D/MJ/K N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。
        4A、650V N溝道增強型場效應管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
        4A、650V N溝道增強型場效應管--SVF4N65T/F/M/MJ/D/K
        SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。
        3A、800V N溝道增強型場效應管--SVF3N80M/MJ/F/D
        3A、800V N溝道增強型場效應管--SVF3N80M/MJ/F/D
        SVF3N80M/MJ/F/D N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。
        12A、650V N溝道增強型場效應管--SVF12N65T/F/K/S
        12A、650V N溝道增強型場效應管--SVF12N65T/F/K/S
        SVF12N65T/F/K/S N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。
        7A、800V N溝道增強型場效應管--SVF7N80T/F
        7A、800V N溝道增強型場效應管--SVF7N80T/F
        SVF7N80T/F N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。
        2A、600V N溝道增強型場效應管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
        2A、600V N溝道增強型場效應管--SVF2N60M/MJ/N/F/T/D
        SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N溝道增強型高壓功率 MOS 場效應晶體管采用士蘭微電子的 F-CellTM平面高壓VDMOS 工藝技術制造。
        1A、600V N溝道增強型場效應管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
        1A、600V N溝道增強型場效應管--SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H
        SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 溝道增強型高壓功率 MOS 場效應晶體管采用士蘭微電子的 F-CellTM平面高壓 VDMOS 工藝技術制造。
        20A,200V肖特基整流器--SBD20C200T/F/K/S
        20A,200V肖特基整流器--SBD20C200T/F/K/S
        SBD20C200T/F是采用硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,廣泛應用于開關電源、保護電路等各類電子線路中。
        20A,150V肖特基整流器--SBD20C150T/F
        20A,150V肖特基整流器--SBD20C150T/F
        SBD20C150T/F是采用硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,廣泛應用于開關電源、保護電路等各類電子線路中。
        10A,200V肖特基整流器--SBD10C200T/F/D
        10A,200V肖特基整流器--SBD10C200T/F/D
        SBD10C200T/F是采用硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,廣泛應用于開關電源、保護電路等各類電子線路中。
        20A,45V肖特基整流器--SBD20C45T/F/M
        20A,45V肖特基整流器--SBD20C45T/F/M
        SBD20C45T/F是采用硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,保護環結構可以起到過壓保護的作用,并且可以提高亚投彩神的可靠性。 .
        10A,150V肖特基整流器--SBD10C150T/F/S
        10A,150V肖特基整流器--SBD10C150T/F/S
        SBD10C150T/F是采用硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,廣泛應用于開關電源、保護電路等各類電子線路中。
        10A,100V肖特基整流器--SBD10C100T/F/D/S
        10A,100V肖特基整流器--SBD10C100T/F/D/S
        SBD10C100T/F是采用硅外延工藝制作而成的肖特基整流二極管,廣泛應用于開關電源、保護電路等各類電子線路中。
        7A,700V DP MOS功率管--SVS7N70M/MJ/F
        7A,700V DP MOS功率管--SVS7N70M/MJ/F
        SVS7N70M/MJ/F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        7A,650V DP MOS功率管--SVS7N65F/D
        7A,650V DP MOS功率管--SVS7N65F/D
        SVS7N65F/D N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。
        記錄總數:78 | 頁數:4  1234  
        聯系中銘
        全國咨詢熱線:400-788-7770

        銷售電話:0769-81150556
        工程電話:0769-85638990

        傳真:0769-83351643

        郵箱:dgzm699@163.com

        地址:東莞市矮嶺冚村沿河東街8號

        亚投彩神