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        具有保護功能的門極驅動芯片--PN7003
        具有保護功能的門極驅動芯片--PN7003
        PN7003是一款可以提供大電流輸出、方便易用的智能化IGBT驅動,該芯片集成了欠壓鎖定、過壓鎖定、IGBT導通時間 控制、IGBT SOA保護以及故障后“軟關斷”等功能,保障IGBT工作。并且PN7003可與MCU進行故障通信,將故障信號反 饋給MCU,同時接收MCU喚醒或重置信號。
        三相半橋驅動芯片-PN7136
        三相半橋驅動芯片-PN7136
        PN7136是一款具有三相獨立輸出的高壓、高速功率MOSFET和IGBT高低側驅動芯片,其浮地通道能工作在600V的高壓下,可用于驅動2個N型功率MOSFET或IGBT結構。該芯片邏輯輸入電平兼容3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。該芯片可以通過外部電流感應電阻傳送信號對六個輸出進行關斷,實現過流保護...
        功耗睡眠模式的四通道直流馬達驅動芯片--PN7719
        功耗睡眠模式的四通道直流馬達驅動芯片--PN7719
        PN7719是一款具有功耗睡眠模式的四通道直流馬達驅動芯片,其可以控制馬達進入正轉、反轉和功耗睡眠模式。該芯片集成了欠壓保護、過溫保護、輸出短路保護等功能。該芯片的兩個輸入管腳IN1和IN2兼容5V和3.3V信號控制,具有抗干擾性。芯片驅動級為HVCMOS結構,高側導通電阻0.6ohm,低側導通電阻0.4oh...
        具有低功耗睡眠模式、外部限流可調的兩通道直流馬達驅動芯片--PN7707
        具有低功耗睡眠模式、外部限流可調的兩通道直流馬達驅動芯片--PN7707
        PN7707是一款具有低功耗睡眠模式的兩通道直流馬達驅動芯片,其可以控制馬達進入正轉、反轉、剎車、滑行和功耗睡眠模式。該芯片集成了欠壓保護、過溫保護、輸出短路保護和外部可調節驅動限流等功能,并且可以將錯誤狀態反饋給MCU,保障馬達工作。該芯片的兩個輸入管腳IN1和IN2兼容5V和3.3V信號控制,具有抗干擾性...
        基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片--PN7103
        基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片--PN7103
        PN7103 是一款基于 P襯底、P外延的高壓、高速功率 MOSFET和 IGBT驅動芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓下,可用于驅動 2個N型功率 MOSFET或 IGBT組成的半橋結構。該芯片邏輯輸入電平兼容 3.3V的CMOS或 LSTTL邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力。傳輸延時具有匹...
        3段高壓驅動電源芯片--PN7336
        3段高壓驅動電源芯片--PN7336
        The PN7336 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with a three independent high and low sidereferenced output channels for 3-...
        具有功耗睡眠模式的兩通道馬達驅動芯片--PN7705
        具有功耗睡眠模式的兩通道馬達驅動芯片--PN7705
        PN7705是一款具有功耗睡眠模式的兩通道直流馬達驅動芯片,其可以控制馬達進入正轉、反轉、剎車和功耗睡眠模式。該芯片集成了欠壓保護、過溫保護、輸出短路保護和外部可調節驅動限流等功能,并且可以將錯誤狀態反饋給MCU,保障馬達工作。該芯片的兩個輸入管腳IN1和IN2兼容5V和3.3V信號控制,具有良好的抗干擾性。...
        網格狀高壓力高功率MOSFET--PN7308
        網格狀高壓力高功率MOSFET--PN7308
        The PN7308 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
        網格狀高功率MOSFET--PN7303
        網格狀高功率MOSFET--PN7303
        The PN7303 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
        三相橋式驅動器--PN7136
        三相橋式驅動器--PN7136
        The PN7136 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with a three independent high and low side referenced output channels for 3-phase ap...
        高壓力,高功率MOSFET--PN7106A/B
        高壓力,高功率MOSFET--PN7106A/B
        The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two...
        高、低驅動程序高功率MOSFET--PN7113
        高、低驅動程序高功率MOSFET--PN7113
        The PN7113 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels based on P_SUB P_EPI pr...
        高電壓,高功率驅動MOSFET--PN7104
        高電壓,高功率驅動MOSFET--PN7104
        The PN7104 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
        網格狀電機驅動芯片--PN7103
        網格狀電機驅動芯片--PN7103
        The PN7103 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
        高、低驅動程序電機驅動芯片--PN7101
        高、低驅動程序電機驅動芯片--PN7101
        The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
        高壓供電驅動芯片--PN7008A/B
        高壓供電驅動芯片--PN7008A/B
        The PN7008 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT ...
        120V高、低驅動程序電機驅動芯片--PN7006A/B
        120V高、低驅動程序電機驅動芯片--PN7006A/B
        The PN7006 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-...
        半橋驅動芯片-PN7103
        半橋驅動芯片-PN7103
        PN7103是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片,其浮地通道能工作在600V的高壓下,可用于驅動2個N型功率MOSFET或IGBT組成半橋結構,該芯片邏輯輸入電平兼容3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。輸出具有大電流脈沖能力,傳輸延時具有匹配性,以簡化在高頻下的應用。
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