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        N型功率MOSFET集成高壓啟動的高性能同步整流器--8305L

        亚投彩神分類: 同步整流芯片
          PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8305L內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉換效率并降低芯片溫度.PN8305L處于開關工作模式,只適用于DCM和QR工作模式的開關電源系統。
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          6級能效標準內置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
          6級能效標準內置功率MOS的高性能同步整流器--PN8306L
          PN8306L包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8306L內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉換效率,使得系統效率可以滿足6級能效的標準,并留有足夠的裕量。PN8306L集成的輔助功能,包含輸出欠壓保護、輸出過壓鉗位、防誤開啟等功能。
          高性能多模式PWM控制芯片--AP8268
          高性能多模式PWM控制芯片--AP8268
          內置800V高壓啟動寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片—PN8016
          內置800V高壓啟動寬輸出范圍非隔離交直流轉換芯片—PN8016
          PN8016集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關電源, 輸出電壓可通過FB 電阻調整。PN8016內置800V高壓啟動與自供電模塊,實現系統快速啟動、待機、自供電功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能,包括過載保護,欠壓保護,過溫保護。另外PN8016的降頻調制技術有助于 EMI特性。

                              集成高壓啟動的高性能同步整流器

                                    型號:PN8305L

             

            一、概述

             PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統中替代次級整流肖特基二極管。PN8305L內置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉換效率并降低芯片溫度.PN8305L處于開關工作模式,只適用于DCMQR工作模式的開關電源系統。當芯片檢測到VDET<-400mV,控制器驅動功率MOSFET開啟;當芯片檢測到功率MOSFET流過的電流降低到閾值-10mV時,控制器驅動功率MOSFET關閉。該芯片提供了極為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護、輸出過壓鉗位等功能。內置高壓啟動電路可支持系統輸出電壓低至2V時,PN8305L仍能正常工作。

             

            二、特性   

               *內置13mΩ/6mΩ 50V Trench MOSFET

               *內置高壓啟動電路,適用于低壓模式工作

               *適用于DCMQR工作模式

               *高精度次級電流檢測電路

               *優異全面的輔助功能:

                 欠壓保護; 過壓鉗位

             

            三、應用領域

             

               5V電池充電器及適配器

             

             

            四、封裝/訂購信息

             

            五、典型應用電路

             

             

             

             

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