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        集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容交直流轉換器--PN8611

        亚投彩神分類: 隔離式原邊反饋芯片
          PN8611集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于性能高、外圍元器件較簡的充電器、適配器和內置電源。PN8611為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術消 除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,內置輸出線補償功能使系統獲得較好的負載調整率。該芯片提供了智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護和輸出短路保護等。
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          支持CCM模式準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8390
          支持CCM模式準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8390
          PN8390集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置 電源。PN8390為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM兩種工作模式。內置高壓啟動電路,可實現系統空載待機損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振、多模式技術共同音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,而特有頻率抖 動技術可實現較好的 EMI特性;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了智能保護功能,包含 逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等,同時還集成AC電壓欠壓保護功能,可通過FB分壓電 阻調節。
          內置啟動電路,原邊反饋交直流轉換器--PN6775H
          內置啟動電路,原邊反饋交直流轉換器--PN6775H
          PN6775H集成待機功耗原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6775H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

            集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容交直流轉換器--PN8611

             

            一 概述

            PN8611集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于性能高、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8611為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術消除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,內置輸出線補償功能使系統獲得好的負載調整率。該芯片提供了智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護和輸出短路保護等。

             

            二 特性

            *內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
            *內置啟動電路,小于50mW空載損耗(230VAC)
            *采用多模式技術提升效率,滿足6級能效標準
            *全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
            *原邊反饋可省光耦和TL431
            *無需電流采樣電阻、FB反饋下電阻、VDD供電二極管
            *無需額外補償電容
            *無音頻噪聲
            *智能保護功能
            *過溫保護(OTP)
            *VDD欠壓&過壓保護(UVLO&OVP)
            *逐周期過流保護(OCP)
            *開環保護(OLP)

             

            三 封裝

             

            四 應用電路圖

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              總部地址:東莞市大嶺山鎮矮嶺冚村沿河東街8號

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            PN8390集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置 電源。PN8390為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431,支持CCM和DCM兩種工作模式。內置高壓啟動電路,可實現系統空載待機損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振、多模式技術共同音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,而特有頻率抖 動技術可實現較好的 EMI特性;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了智能保護功能,包含 逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等,同時還集成AC電壓欠壓保護功能,可通過FB分壓電 阻調節。
            內置啟動電路,原邊反饋交直流轉換器--PN6775H
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            PN6775H集成待機功耗原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6775H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用多模式技術音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
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