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        高壓力,高功率MOSFET--PN7106A/B

        亚投彩神分類: 電機驅動芯片
          The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration (versionB) or any other high-side& low-side configuration (version A) which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic.
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          精度高PSR雙繞組LED恒流驅動芯片--PN8347Q
          精度高PSR雙繞組LED恒流驅動芯片--PN8347Q
          PN8347Q內置高精度的準諧振恒流控制器和功率MOSFET,用于高可靠、外圍元器件較簡的中小功率LED照明。該芯片搭建反激系統可省略光耦、TL431;采用的恒流控制專利技術可節省變壓器輔助繞組,內置啟動電路省去了外部的啟動電阻。該芯片提供了較的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、開環保護、過溫調節、Rcs開路保護和LED開/短路保護等。準諧振的控制技術、內置啟動電路和芯片功耗有助于獲取較高的工作效率。在恒流模式下,輸出電流可通過CS腳的Rcs電阻進行調節。
          具有功耗睡眠模式的兩通道馬達驅動芯片--PN7705
          具有功耗睡眠模式的兩通道馬達驅動芯片--PN7705
          PN7705是一款具有功耗睡眠模式的兩通道直流馬達驅動芯片,其可以控制馬達進入正轉、反轉、剎車和功耗睡眠模式。該芯片集成了欠壓保護、過溫保護、輸出短路保護和外部可調節驅動限流等功能,并且可以將錯誤狀態反饋給MCU,保障馬達工作。該芯片的兩個輸入管腳IN1和IN2兼容5V和3.3V信號控制,具有良好的抗干擾性。芯片驅動級為HVCMOS結構,高側導通電阻0.5ohm,低側導通電阻0.3ohm。
          高、低驅動程序電機驅動芯片--PN7101
          高、低驅動程序電機驅動芯片--PN7101
          The PN7101 is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT independently which operates up to 600 V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver c

                    高壓力,高功率MOSFET--PN7106A/B

            一 概述

            The PN7106A/B is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver based on P_SUB P_EPI process. The floating channel driver can be used to drive two N-channel power MOSFET or IGBT in a half-bridge configuration (versionB) or any other high-side& low-side configuration (version A) which operates up to 600V. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high frequency applications.

             

            二 特性

             Fully operational to +600V

             3.3V logic compatible

             dV/dt Immunity ±50V/nsec

             Floating channel designed for bootstrap operation

             Gate drive supply range from 10V to 20V

             UVLO for both channels

             Output Source / Sink Current Capability 400mA /900mA

             Independent Logic Inputs to Accommodate All Topologies (Version A)

             Cross Conduction Protection with 100 ns Internal

             Fixed Dead Time (Version B)

             -5V negative Vs ability

             Matched propagation delay for both channels

             

            三 應用 

             Small and medium- power motor driver

             Power MOSFET or IGBT driver

             Lighting ballast

             Half−Bridge Power Converters

             

            四 封裝

             

            五 典型應用

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            PN8347Q內置高精度的準諧振恒流控制器和功率MOSFET,用于高可靠、外圍元器件較簡的中小功率LED照明。該芯片搭建反激系統可省略光耦、TL431;采用的恒流控制專利技術可節省變壓器輔助繞組,內置啟動電路省去了外部的啟動電阻。該芯片提供了較的自恢復保護功能,包含逐周期過流保護、開環保護、過溫調節、Rcs開路保護和LED開/短路保護等。準諧振的控制技術、內置啟動電路和芯片功耗有助于獲取較高的工作效率。在恒流模式下,輸出電流可通過CS腳的Rcs電阻進行調節。
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