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        650V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN8386F

        亚投彩神分類: 隔離式原邊反饋芯片
          PN8386F集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386F為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術清除音頻噪聲,使得系統滿足 6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
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          支持蘋果20W芯片 高性能準諧振交直流轉換芯片--PN8162
          支持蘋果20W芯片 高性能準諧振交直流轉換芯片--PN8162
          PN8162內部集成了準諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了較為全和性能良好的保護功能,包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了低的待機功耗、全電壓范圍下的效率。頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證良好的EMI表現。
          用于高性能,內置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
          用于高性能,內置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
          PN6147內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供性能優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護(外部可調)、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調節模式混合技術和器件低功耗結構技術實現了的待機功耗、電壓范圍下的效率。良好的EMI表現由頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證。該芯片還內置智能高壓啟動模塊。PN6147為需要待機功耗的高性價比反激式開關電源系統提供了一個平臺,非常適合六級能效標準、Eur2.0、能源之星的應用。
          內置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013
          內置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013
          PN6013集成待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6013為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術清除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供的智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

               待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8386F

             

            一 概述

            PN8386F集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386F為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術清除音頻噪聲,使得系統滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。該芯片提供了智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

             

            二 應用

            *內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
            *內置啟動電路,小于50mW空載損耗(264VAC)
            *采用準諧振與多模式技術,滿足6級能效標準
            *全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
            *原邊反饋可省光耦和TL431

            *恒壓、恒流、輸出線補償外部可調
            *無需額外補償電容
            *無音頻噪聲
            *智能保護功能 

             -過溫保護 (OTP)
             -VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
             -逐周期過流保護 (OCP)
             -CS開/短路保護 (CS O/SP)
             -開環保護 (OLP)

            三 特性

            *開關電源適配器
            *電池充電器

            *機頂盒電源

             

            四 封裝

             

            五 應用電路圖

             

             

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            PN8162內部集成了準諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了較為全和性能良好的保護功能,包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了低的待機功耗、全電壓范圍下的效率。頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證良好的EMI表現。
            用于高性能,內置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
            用于高性能,內置650V高雪崩能力的功率MOSFET--PN6147
            PN6147內部集成了脈寬調制控制器和功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供性能優異的智能化保護功能,包括周期式過流保護(外部可調)、過載保護、過壓保護、CS短路保護、軟啟動功能。通過Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三種脈沖功率調節模式混合技術和器件低功耗結構技術實現了的待機功耗、電壓范圍下的效率。良好的EMI表現由頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證。該芯片還內置智能高壓啟動模塊。PN6147為需要待機功耗的高性價比反激式開關電源系統提供了一個平臺,非常適合六級能效標準、Eur2.0、能源之星的應用。
            內置700V高雪崩能力智能功率MOSFET--PN6013
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