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        5A 800V N溝道增強型場效應管--SVF5N80F/T/MJ/K

        亚投彩神分類: cool mos管
          SVF5N80F/T/MJ/K N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面VDMOS工藝技術制造。工藝及條狀的原胞設計結構使得該亚投彩神具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。 該亚投彩神可廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓H橋PWM馬達驅動。
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          龍騰N渠道650V,20A超級MOS管--LND20N65/LNB20N65
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          Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.
          龍騰N渠道650V,7A超級MOS管--LND7N65D
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          The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.
          龍騰N渠道650V,16A超級MOS管--LND16N65
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          Power MOSFET is fabricated using the VDSS advanced planer VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalanche energy.

               5A、800V N溝道增強型場效應管--SVF5N80F/T/MJ/K

            一、描述

             SVF5N80F/T/MJ/K N溝道增強型高壓功率MOS場效應晶體管采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術制造。工藝及條狀的原胞設計結構使得該亚投彩神具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量。該亚投彩神可廣泛應用于AC-DC開關電源,DC-DC電源轉換器,高壓HPWM馬達驅動。

             

            二、特點

              5A,800V,RDS(on)(典型值)=1.88Ω@VGS=10V     

              低柵極電荷量

              低反向傳輸電容

              開關速度快 

              提升了dv/dt能力

             

             

            三、參數

             

             

            四、封裝

             

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              郵箱:dgzm699@163.com  QQ:1923681612   傳真:0769-83351643

             

              總部地址:東莞市大嶺山鎮矮嶺冚村沿河東街8號

              佛山辦事處:佛山市順德區容桂鎮細滘德寶北路合安街19號

             

              中銘官網:www.apositivejourney.com      

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            The Power MOSFET is fabricated using the advanced planar VDMOS technology. The resulting device has low conduction resistance,superior switching performance and high avalance energy.
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