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        1MHz,2A升壓轉換器--AP2008

        亚投彩神分類: DC-DC芯片
          AP2008是一個恒定頻率峰值電流模式的異步PWM升壓轉換器。需要一個外部肖特基二極管。在輕負載時,AP2008工作在輕負載模式。靜態電流為100uA,內部NMOS管導通電阻為200mΩ,保證在整個輸出負載范圍內效率高。2A峰值電流使得AP2008可以提供1A輸出負載電流,非常適應于MID和移動電源。輸入電壓范圍3V~ 25V。內部工作頻率是設定在1.0MHz。 AP2008采用6引腳的扁平SOT-23封裝。
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          支持蘋果20W芯片 高性能準諧振交直流轉換芯片--PN8162
          支持蘋果20W芯片 高性能準諧振交直流轉換芯片--PN8162
          PN8162內部集成了準諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了較為全和性能良好的保護功能,包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了低的待機功耗、全電壓范圍下的效率。頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證良好的EMI表現。
          低待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN6710H
          低待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN6710H
          PN6710H集成低待機功耗準諧振原邊控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6710H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于75mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術音頻噪聲,使得系統滿足6級能效 標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。 該芯片提供了智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護,同時還集成AC電壓過壓保護和欠壓保護功能,可通過系統分壓電阻調節。
          自供電模塊的交直流轉換開關電源芯片--PN8175
          自供電模塊的交直流轉換開關電源芯片--PN8175
          PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。 PN8175內置800V高壓啟動與自供電模塊,實現系統快速啟動、待機、自供電功能。該芯片提供了智能化保護 功能,包括過流保護,過載保護,欠壓保護,過溫保護。另外PN8175的降頻調制技術有助于EMI特性。

                          1MHz,2A升壓轉換器--AP2008

              概述

             AP2008是一個恒定頻率峰值電流模式的異步PWM升壓轉換器。需要一個外部肖特基二極管。在輕負載時,AP2008工作在輕負載模式。靜態電流為100uA,內部NMOS管導通電阻為200mΩ,保證在整個輸出負載范圍內效率高。2A峰值電流使得AP2008可以提供1A輸出負載電流,非常適應于MID和移動電源。輸入電壓范圍3V~25V。內部工作頻率是設定在1.0MHz。AP2008采用6引腳的扁平SOT-23封裝。

             

            應用

            白光LED驅動

            * PCIPCI-express插槽的網卡電源

            * MID和移動電源

             

            特性

            * 寬輸入電壓范圍3V~25V,輸出電壓達25V

            * 效率:達92%

            * 1.0MHz固定開關頻率

            * 2A開關限流

            * 低導通電阻: 0.2Ω

            * 精準參考電壓:0.6V

            * 微型化外圍元件

            * 節約空間的SOT-23-6L封裝

             

              封裝

             

              應用電路圖

              

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            PN8162內部集成了準諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,用于高的性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了較為全和性能良好的保護功能,包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特殊器件低功耗結構技術實現了低的待機功耗、全電壓范圍下的效率。頻率調制技術和Soft Driver技術充分保證良好的EMI表現。
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            PN6710H集成低待機功耗準諧振原邊控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6710H為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置啟動電路,可實現芯片空載損耗(230VAC)小于75mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術音頻噪聲,使得系統滿足6級能效 標準,可調輸出線補償功能能使系統獲得較好的負載調整率;在恒流模式,輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節。 該芯片提供了智能保護功能,包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護,同時還集成AC電壓過壓保護和欠壓保護功能,可通過系統分壓電阻調節。
            自供電模塊的交直流轉換開關電源芯片--PN8175
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            PN8175集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。 PN8175內置800V高壓啟動與自供電模塊,實現系統快速啟動、待機、自供電功能。該芯片提供了智能化保護 功能,包括過流保護,過載保護,欠壓保護,過溫保護。另外PN8175的降頻調制技術有助于EMI特性。

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