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        高精密氣壓、高度傳感器--HP206C

        亚投彩神分類: 華普傳感器
          HP206C 是高分辨率(0.1meter)壓力傳感器,帶有 I2C 接口,包括一個硅壓阻壓力元件和一個高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位壓力和溫度數字輸出,客戶可以根據應用需要轉換速度和高度,所有內置計算采用了高速 4MHz 的浮點運算,計算誤差小,數據補償是內部集成,通訊連接非常簡單,高度及溫度上下限比較的可編程事件及中斷輸出控制。HP206C 傳感器是采用不銹鋼蓋子表面封裝和符合 RoHS 標準 。
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          內置MOS、高PFC、非隔離led驅動芯片-SD690XS
          內置MOS、高PFC、非隔離led驅動芯片-SD690XS
          SD690XS是一款用于非隔離led驅動的控制芯片,外圍應用采取浮地Buck架構,內置600V高壓功率MOSFET。
          11A,600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
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          SVS11N60T/F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器高功率密度,提高熱行為。
          POWER MOSFET--5N60
          POWER MOSFET--5N60
          The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

             

            高精密氣壓、高度傳感器

             

             

            型號:HP206C

             

             

             

            一、亚投彩神描述

             

            HP206C是高分辨率(0.1meter)壓力傳感器,帶有I²C 接口,包括一個硅壓阻壓力元件和一個高分辨率24位△∑ADC 。HP206C提供高精度24位壓力和溫度數字輸出,客戶可以根據應用需要轉換速度和高度,所有內置計算采用了高速4MHz的浮點運算,計算誤差小,數據補償是內部集成,通訊連接非常簡單,高度及溫度上下限比較的可編程事件及中斷輸出控制。HP206C傳感器是采用不銹鋼蓋子表面封裝和符合RoHS標準。

             

            二、主要特點

             

            l  直接讀取壓力值,高度值,溫度值

            l  供電電壓:1.8V ~ 3.6V 

            l  擴展壓力量程:300~1200mbar 

            l  直接讀數,補償:

            --氣壓:20位有效測量位(帕)

            --高度:20位有效測量位(米)

            --溫度:20位有效測量位(攝氏度)

            l  可編程事件中斷及輸出選擇

            l  高分辨率:10cm

            l  待機功耗:<0.1uA 

            l  工作溫度:-40~+85

            l  I²C接口

            l  尺寸:6.8X6.2X3.0(+0.2)mm

              

            三、典型應用

             

            l  手持高度計、氣壓計

            l  工業壓力和溫度傳感器系統

            l  汽車系統

            l  個人電子亚投彩神測高計

            l  戶外運動手表

            l  醫療氣體控制系統

            l  氣象站設備

            l  室內導航和地圖協助

            l  供暖、通風、空調

             

            四、絕對最大額定值

             

             HP206C 最大參數

             

            五、方塊圖

             

            HP206C 框圖

             

             

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              總部地址:東莞市大嶺山鎮矮嶺冚村沿河東街8號

              佛山辦事處:佛山市順德區容桂鎮細滘德寶北路合安街19號

             

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            SVS11N60T/F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器高功率密度,提高熱行為。
            POWER MOSFET--5N60
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            The UTC 5N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

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